② Thermal Evaporator
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하
Thermal evaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 그것인데, 이번 실험에서 사용한 증착법은 전자빔 증착법이다.
전자빔 증착법은 박막을 증착시킬 때, 증착시키고자 하는 물질을 소결하거나 녹여 고체 상태로 제조하고 전자빔을 쏘
Thermal Evaporator
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하며 3
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
○ PECVD
∙ What is PECVD?
⇒ Radio frequency(RF) is used to induce plasma in the deposition gas.
⇒ This results in a higher deposition rate at relatively low temperatures.
⇒ With the plasma enhanced CVD process is the deposition at temperature around 300℃ allows.
⇒ The temperature will be through encouragement of a plasma with high frequency electric fields triggered.
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*Separate Electric furnace and other system like Electronic scale
-Because Electric furnace temperature is very high
so we need to protect other system.
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*N
Rapid Expansion of Supercritical Solution), SAS(Supercritical Anti Solvent) 등이 있다.
1) RESS(Rapid Expansion of Supercritical Solution)
RESS는 입자로 제조할 물질을 초임계유체에 용해시킨 후 미세한 노즐을 통하여 급속히 팽창시킨다<그림3>. 이때, 초임계유체가 gas로 되는 과정에서 용질이 빠른 시간에 과포화 되고 용해되어